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    新聞資訊
    07-25

    半导体材料工艺

    半導體材料特性參數的大小與存在於材料中的雜質原子和晶體缺陷有很大關係。
    半導體材料工藝
    07-24

    相关材料

    爲了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。
    相關材料
    06-26

    半导体新型材料

    其結構穩定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。
    半導體新型材料
    07-11

    硅基半导体材料的研发现状与前瞻

    半導體硅作爲現代電子工業的基礎材料已有半個世紀的歷史，尽管集成电路密度遵循“摩尔定律”不断提高，设计线宽急剧减小，硅材料总能适应器件发展，满足其越来越苛刻的要求。
    硅基半導體材料的研發現狀與前瞻
    06-20

    半导体未来发展

    以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。
    半導體未來發展
    06-13

    半导体制冷技术

    半導體制冷技術是目前的製冷技術中應用比較廣泛的。
    半導體制冷技術
    05-30

    半导体分类及性能

    元素半導體。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。
    半導體分類及性能
    05-16

    外延片相关产品

    外延產品應用於4个方面，CMOS互补金属氧化物半导体支持了要求小器件尺寸的前沿工艺。
    外延片相關產品
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